サムスン電子がメモリ半導体ＤＲＡＭとファウンドリ（半導体委託生産）開発部門のトップを電撃交代したと複数の韓国メディアが報じている。ＤＲＡＭ開発室長はメモリ事業部内でも最大の要職とされており、危機感の現れであるとの見方が支配的だ。
３日、韓国各紙はサムスン電子への取材をもとに、同社のデバイスソリューション（ＤＳ）部門はこの日、副社長級役員の人事を行ったと報じた。
それによると、ＤＲＡＭ開発を担当するＤＲＡＭ開発室長はファン・サンジュン・メモリ事業部戦略マーケティング室副社長に交代した。先行開発チーム長はユ・チャンシク副社長、設計チーム長はオ・テヨン副社長、戦略マーケティング室長はユン・ハリョン副社長が担当することになったという。
ファウンドリ事業部でも人事異動があったようだ。最高技術責任者（ＣＴＯ）はファウンドリ事業部のチョン・ギテ技術開発室長（副社長）が担当することになり、技術開発室長にはグ・ジャフム・ファウンドリ技術開発室副社長が任命されたと伝えられた。
韓国各紙では、今回のサムスン電子のサプライズ人事について、メモリ事業部をはじめとする半導体部門の危機感が反映されたという解釈が出ている。ＤＲＡＭ事業でＳＫハイニックスとマイクロンなど競合企業の追撃が激しくなっていることや、ファウンドリ事業でも昨年、微細工程の歩留まり確保に難航し、大型顧客を相次いでＴＳＭＣに奪われたことなどが背景にあるとの見方が伝えられている。
