韓国半導体大手のＳＫハイニックスは19日、ファウンドリー（半導体の受託製造）世界最大手の台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）と技術協力に向けた覚書を交わし、2026年に量産予定の第６世代の高帯域メモリー（ＨＢＭ）「ＨＢＭ４」を開発すると発表した。
ＳＫハイニックスとＴＳＭＣは、ＨＢＭパッケージ内の下段に搭載されるベースダイの性能を改善する。ＨＢＭはベースダイの上にＤＲＡＭチップをシリコン貫通電極（ＴＳＶ）技術で垂直に積層する。ベースダイは画像処理装置（ＧＰＵ）に連結され、ＨＢＭを統制する役割を担う。
■ロジック超微細先端工程を活用
ＳＫハイニックスは第５世代の「ＨＢＭ３Ｅ」までは自社のＤＲＡＭ工程でベースダイを生産してきたが、ＨＢＭ４からはＴＳＭＣが保有するロジック超微細先端工程を活用する。超微細工程を適用することで、さまざまな機能が追加できるという。
米半導体大手のエヌビディアはＧＰＵ向けのＨＢＭをＳＫハイニックスから調達し、それをＴＳＭＣがパッケージングしている。ＳＫハイニックスはＴＳＭＣとの協力によりＨＢＭの技術革新を進めるとともに、顧客・ファウンドリー・メモリーの３者間の技術協力をベースにメモリーの性能向上を目指す。
