出所：ブリッジ経済（韓国） ２０２４年４月２４日付スクープ報道
－ ブリッジ経済紙の業界取材によると、サムスン電子が米国の半導体企業ＡＭＤと４兆ウォン（約４６００億円）規模のＨＢＭ３Ｅ（第５世代高帯域幅メモリ）供給契約を締結したことが分かった。
－ これはＡＭＤの新型データセンター用チップＭＩ３５０に搭載されるもので、サムスン電子は上半期量産予定のＨＢＭ３Ｅ １２段ＤＲＡＭをＡＭＤに供給する予定だ。
－ 供給規模は約３０億ドルで、ＨＢＭ購入の対価として（サムスン側は）ＡＭＤ ＧＰＵを購入することにしたが、具体的な製品と数量は明らかにされていない。
－ 下半期にＭＩ３５０チップの量産が開始され、供給は下半期に行われると見られる。
－ ＭＩ３５０は前身であるＭＩ３００より帯域幅が３０％以上増加し、ＡＭＤは帯域幅を拡張するためにＨＢＭ３Ｅを選択したと伝えられた。
－ ＨＢＭ３Ｅは、前身であるＨＢＭ３（第４世代）８段に比べてＡＩ学習訓練速度が平均３４％向上し、推論によると、最大１１．５倍多いユーザー数へのサービス対応が可能となる。
－ 今回の契約はサムスンファウンドリーの事業とは別に行われる。現在、サムスンと取引するＤＳＰ（デザインハウス）メーカーは、当該案件に関連する受注を受けていないとブリッジ経済紙に答えている。
－ サムスン電子側は個別案件について言及しないとブリッジ経済紙に答えた。
（参考記事：ＳＫハイニックスがＴＳＭＣと提携発表・・・「第６世代ＨＢＭを共同開発」）
（参考記事：サムスン「来年ＨＢＭ供給を今年の2.5倍以上に増やす」「すでに顧客と協議完了」）
（参考記事：ＳＫハイニックス新副社長「次世代ＨＢＭはカスタマイズ化される」）
