昭和電工は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（ＳｉＣ）エピタキシャルウェハー（エピウェハー）の高品質グレードエピウェハー「ハイグレードエピ（ＨＧＥ）」について、追加の能力増強を決めたと発表した。
需要の急増を受けて、現在進行中の設備投資では年央までに能力が不足してしまうと判断したため、秩父事業所に追加投資を実施して能力を一段引き上げる。
月産能力は４月に現在の６割超の５千枚に拡大するが、追加増強によって９月には７千枚まで生産能力が高まる見通し。
ＳｉＣパワー半導体は、従来の電源用途に加えて、車載への実装に向けた動きが具体化しており、鉄道車両のインバータモジュールのほか、急速に伸長する電気自動車市場においても、車載充電器や急速充電スタンドでＳｉＣパワー半導体への切り替えが進んでいる。昭和電工のＳｉＣエピウェハー事業は、業界最高水準であるＨＧＥの欠陥密度の低さと高い均一性が評価され、市場成長を上回る伸びを示している。
