富士経済は次世代パワー半導体の世界市場を調査し、「１８年版次世代パワーデバイス＆パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」としてまとめた。それによると、２０３０年の次世代パワー半導体市場規模は１７年比１２・２倍の３５７０億円まで拡大すると予測。このうち、ＳｉＣ（炭化ケイ素）パワー半導体は同比８・３倍の２２７０億円、ＧａＮ（窒化ガリウム）パワー半導体は同比７２・２倍の１３００億円まで拡大すると予測した。
３０年のパワー半導体市場は、１７年比７２・１％増の４兆６７９８億円と予測。今後は民生機器、自動車・電装、産業分野が市場をけん引していくとみられ、特に自動車・電装分野は自動運転技術の進展による需要増加が見込まれている。
ＳｉＣパワー半導体市場は情報通信機器分野やエネルギー分野が拡大をけん引しており、今後は電鉄車両や自動車・電装分野の伸びが期待されている。自動車・電装分野では、急速充電、車載充電器での採用が拡大する見通し。エネルギー分野ではパワーコンディショナでの採用が進展し、需要が増加していくとみている。
ＧａＮパワー半導体市場では、６００ボルト帯以上の中耐圧領域向けでの製品ラインアップの拡充が進み、市場規模が着実に拡大しており、１９年以降に本格的な需要増加が見込まれている。用途別では情報通信機器分野の需要が今後も中心となるが、２０年以降は他の分野での採用も進むとみられ、工作機械や医療機器など高周波パルスが必要な電源回路での需要増加や自動車・電装分野での伸びも期待されている。
また、次々世代パワー半導体として期待されている酸化ガリウム系パワー半導体は、１８年後半から本格的に市場が立ち上がる見込みで、３０年の市場規模は１４５０億円になると予測した。
一方、パワー半導体の構成部材の世界市場は、３０年に同比２・３倍の４２４９億円まで増加する見通し。パワー半導体の量産化の進展に伴い、構成部材の市場規模も拡大基調が継続するとみられている。
