自社開発および提携を通じて開発した7種の設計ツールは、45W〜140Wのアダプター向けに高性能な650V GaN FETの優位性を活用
米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ）-- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は本日、GaNベースのUSB-C PD電源アダプターの開発を加速させるための7種の参照設計の提供について発表しました。このポートフォリオには幅広いオープンフレーム設計のオプションが含まれており、さまざまなトポロジー、出力、ワット数（45W〜140W）を選択できます。
SuperGaN®技術の違い
電源アダプターの参照設計は、SuperGaN Gen IV 650V FETを使用し、トランスフォームのGaNデバイスの代名詞となっている設計の容易さ、高信頼性、高性能の利点を実現しています。最近の分析で、175mOhm e-mode GaNデバイスと比較したところ、トランスフォームの240mOhm SuperGaN FETは75℃以上の温度でオン抵抗の上昇が少なく、50%および100%（フル）の出力でより高い性能を発揮しました。
これら2つのGaNソリューションを比較した結果の詳細は、こちらでご確認できます。
電源アダプターの参照設計
トランスフォームのポートフォリオには、周波数が140〜300kHzのオープンフレームUSB-C PDの参照設計が5種類含まれています。例えば、トランスフォームはシラーナ・セミコンダクターと提携し、140kHzで動作して、ピーク効率が94.5%の65Wアクティブクランプフライバック（ACF）RDの参照設計を開発しました。
- 45WのアダプターRDは24W/inの電力密度を擬似共振フライバック（QRF）のトポロジーで提供（1種）
- 65WのアダプターRDは30W/inの電力密度をACFまたはQRFのトポロジーで提供（3種）
- 100WのアダプターRDは18W/inの電力密度を力率補正（PFC）+QRFのトポロジーで提供（1種）
また、トランスフォームのポートフォリオには、周波数が110〜140kHzのオープンフレームUSB-C PD/PPSの参照設計が2種類含まれています。トランスフォームは両方のソリューションでダイオーズと提携し、同社のACFコントローラーを活用して、93.5%以上のピーク効率を達成しました。
- 65WのアダプターRDは29W/inの電力密度をACFのトポロジーで提供（1種）
- 40WのアダプターRDは20W/inの電力密度をPFC+ACのトポロジーで提供（1種）
トランスフォームのフィールドアプリケーション／テクニカルセールス担当バイスプレジデントのTushar Dhayagudeは、次のように述べています。「トランスフォームは、最も広範な用途向けに最も幅広い出力レベルに対応した唯一のGaN FETポートフォリオを提供しているという点において、独自性があります。当社の電源アダプターの参照設計は、低消費電力機能が際だっています。当社は、コントローラーの種類に左右されず、設計を飛躍的に簡素化するPQFNデバイスとTO-220デバイスを提供しています。これらの機能は、その他と相まって、お客さまが画期的な電力効率レベルを達成できるGaNソリューションを、迅速かつ容易に市場投入する上で役立ちます。トランスフォームのGaNは、まさにそのためにあります。」
現行の電源アダプターの参照設計ポートフォリオは、こちらでご確認できます。
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。
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