中国のファーウェイ（華為技術有限公司）が先端半導体製造工程に必須となる「極紫外線（ＥＵＶ）技術」の特許を申請した。
（参考記事：米専門紙「台湾TSMCの３ナノ工程、競争力なし」 韓国サムスンに逆転機会か）
ファーウェイ社は最近、ホームページに「ファーウェイ社がゲームに参入した－中国ＥＵＶリソグラフィ機械で突破口」というタイトルの動画を掲載した。（※２８日現在は削除）１０ナノメートル（ｎｍ）以下のプロセスで使用するＥＵＶリソグラフィシステムに使う光源コンポーネントを作る新たな発展を遂げたとする内容だった。ファーウェイは、この特許を活用すれば、ＩＣ回路とチップセットの製造工程を改善できると強調した。
中国の技術ニュースメディアであるＭｙＤｒｉｖｅｒｓは、ファーウェイが先月中旬にＥＵＶリソグラフィ工程と核心構成要素を扱う特許（出願番号２０２１１０５２４６８５Ｘ）を申請したと報じた。 リソグラフィは、半導体を作製する際にシリコンウェハに回路パターンを形成する工程である。 レーザーのような光で回路を刻むが、半導体プロセスがナノメートル単位で微細化する過程で、回路にパターンを描くことが難しくなり、これを克服するために、非常に短い波長のＥＵＶが必須となった。
ASMLのEUV露光装置/ASML Website
７ナノ未満の超微細工程はＥＵＶなしで製造することは不可能であるというのが定説となっている。 現在、世界中でＥＵＶ装置を作ることができる企業は、オランダに本社を置くＡＳＭＬが唯一だ。 この装置を活用して７ナノ未満の半導体を作る企業は現在、ＴＳＭＣとサムスン電子だけとなっている。 米国は中国で先端半導体を作ることができないよう、１４ナノ以下の半導体装置の輸出を禁止した。そのため、ファーウェイが独自にＥＵＶリソグラフィ特許を出願した意味は小さくない。
台湾のデジタイムズによると、中国清華研究所と中国科学技術院も独自にＥＵＶ関連技術を開発している。しかし、中国が実際にＥＵＶ装置の生産まで漕ぎつけるかは未知数だ。ファーウェイで申請した特許はまだ承認されておらず、ＥＵＶ装置を作るには１万個以上の部品が必要となる。しかし、それら部品・技術の多くが米国と関連があり、すべての技術を中国のみで独自開発することは不可能だ。
ファーウェイは２０２０年、当時のトランプ政権による制裁措置により、台湾ＴＳＭＣなどから半導体チップの供給を受けられなくなり、業績が悪化。それまでサムスンやアップルとスマホ３強の一角を占めていたが、制裁の影響で陥落した。
※アイキャッチ画像：ASMLのEUV露光装置
（参考記事：韓国紙「サムスンが独シーメンス買収可能性」 資金１３兆円…年内の大型取引あるか？）
（参考記事：「サムスンがNAND価格を値上げ 中国YMTC脱落による供給不足受け」台湾紙報じる）
（参考記事：ファーウェイが韓国企業に求愛「共に成長を」 米国の制裁には「弾圧だ」）
（参考記事：韓国中銀「米vs中露の貿易戦争で韓国は板挟み」「踏み絵迫られるケース増える」）
（参考記事：米議会調査局「米国の保護貿易は近隣窮乏化政策」「米企業の競争力低下させる」）
（参考記事：米フィデリティ、韓国の高純度フッ化水素（１２Ｎ）メーカーへの投資拡大）
