半導体製造大手のルネサスエレクトロニクスは5日、今後3年間の産学連携について、国立インド工科大学(IIT)ハイデラバード校(IITH)と基本合意書を結んだと発表した。
ルネサスによると、合意書は、ルネサスとハイデラ校間の研究開発や学術交流に重点を置く。締結により、ハイデラ校はインド半導体産業に貢献する人材育成が可能になる。学生は最先端の半導体製品に実際に触れ、ルネサスのエンジニアから直接学ぶ機会を持てる。ルネサスはハイデラ校との連携を通じ、優秀な人材獲得に期待を寄せる。
ルネサスは今年から、授業カリキュラム開発やルネサスの開発用基板を使った学習、研究室実習を支援する。工学部の学生に向け、6カ月間のインターンシップや正規雇用への応募機会も提供する。
合意書の締結日は3日。同日に南部テランガナ州のハイデラ校で調印式が開かれ、ルネサスのインド事業責任者、マリニ・ナラヤナムーシー氏やハイデラ校のB.S.ムルティ学長が参加した。